Аннотация

В статье представлены некоторые вопросы объяснения процессов роста эпитаксиальных слоев двойных и тройных полупроводниковых соединений, выращенных технологией газофазной эпитаксии. Обращено внимание на некоторые особенности, возникающие при выращивании сверхрешеточных структур (СРС) различных полупроводниковых материалов с использованием металлорганических соединений и гидридной (MOС-гидридной) эпитаксии. Сделан вывод, что студентам необходимо уметь анализировать и контролировать химию технологического процесса (содержание МОС и гидридов) для получения монокристаллических решеток с приемлемыми электрическими и оптическими параметрами

Ключевые слова

эптаксия; газовая фаза; металлорганика; сверхрешѐтка; метод роста; установка; галлий; индий; газ носитель; алкил; реакция; технология; кристаллизация

Использованные источники

[1] Kadyshev, S., & Jusupkeldiev, Sh. (2022). Brief history of the Department of Experimental Physics at Kyrgyz State University. Bulletin of J. Balasagyn Kyrgyz National University, Special issue (S), 85-94.

[2] Kadyshev, S., Sagyndykov, Zh., Apysheva, Ch.Zh., & Bayazova, A.A. (2020). Using animation methods in teaching ways of growing doped superlattices based on molecular-beam epitaxy. Izvestiya OshTU, 2, 53-59.

[3] Kadyshev, S., Sagyndykov, Zh., Apysheva, Ch.Zh., & Bayazova, A.A. (2020). Some issues in teaching nanotechnology methods in nanoelectronics. News of OshTU, 2, 60-66.

[4] Kadyshev, S., & Jusupkeldiev, Sh. (2023). Organization of silicon-based solar cell production in Kyrgyzstan. Bulletin of J. Balasagyn Kyrgyz National University, Special issue (S), 62-67.

[5] Razuvaev, G.A., Gribov, B.G., Domrachev, G.A., & Salamatin, B.A. (1972). Organometallic compounds in electronics. Moscow: Nauka.

[6] Moss, R.H. (1984). Journal of Crystal Growth, 68, 78.

[7] Manasevit, H.M. (1981). Recollections and reflections of MO-CVD. Journal of Crystal Growth, 55(1), 1-9.

[8] Coates, G.E., Green, M.L.H., & Wade, K. (1967). Organometallic compounds: The main group elements (3rd ed., Vol. 1). London: Methuen.

[9] Stringfellow, G.B. (1984). A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE. Journal of Crystal Growth, 68, 111-112.

[10] Holonyak, N. Jr., & Bevacqua, S.F. (1962). Coherent (visible) light emission from Ga(As1−xPx) junctions. Applied Physics Letters, 1, 82.

[11] Logan, R.A., White, H.G., & Wiegman, W. (1968). Efficient green electroluminescence in nitrogen-doped GaP p-n junctions. Applied Physics Letters, 13, 139.

[12] Amano, H., Akasaki, I., Hiramatsu, K., Koide, N., & Sawaki, N. (1988). Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate. Thin Solid Films, 163, 415.

[13] Nakamura, S., Harada, Y., & Seno, M. (1991). Novel metalorganic chemical vapor deposition system for GaN growth. Applied Physics Letters, 58, 2021.

[14] Nakamura, S., Mukai, T., Senoh, M., & Iwasa, N. (1992). Thermal annealing effects on p-type Mg-doped GaN films. Japanese Journal of Applied Physics, 31(2B), L139-L142.