Аннотация

Макалада газдыкфазалык эпитаксиянын технологиясын колдонуу менен кош жана үч компоненттүү жарым ӛткӛргүч бирикмелердин эпитаксиалдык катмарларынын ӛсүү процесстерин түшүндүрүүнүн айрым маселелери келтирилген. Металлорганикалык бирикмелер жана гидрид (МОБ - гидрид) эпитаксиясы ыкмасын колдонуу менен ар кандай жарым ӛткӛргүч материалдардын супер торчолуу структураларын ӛстүрүү учурунда пайда болгон кээ бир ӛзгӛчӛлүктӛргӛ кӛңүл бӛлүнгӛн. Алгылыктуу электрдик жана оптикалык параметрлерге ээ болгон монокристаллдык торчолорду алуу үчүн технологиялык процесстин химиясын (МОБ жана гидриддердин курамын) талдап башкарууну студенттер билүүсү зарыл, деген тыянак чыгарылган

Негизги сөздөр

эптаксия; газ фазасы; металлорганика; суперторчо; ӛсүү ыкмасы; иштӛӛ курамы; галий; индий; ташуучу газ; алкил; реакция; технология; кристаллдашуу

Колдонулган булактар

[1] Kadyshev, S., & Jusupkeldiev, Sh. (2022). Brief history of the Department of Experimental Physics at Kyrgyz State University. Bulletin of J. Balasagyn Kyrgyz National University, Special issue (S), 85-94.

[2] Kadyshev, S., Sagyndykov, Zh., Apysheva, Ch.Zh., & Bayazova, A.A. (2020). Using animation methods in teaching ways of growing doped superlattices based on molecular-beam epitaxy. Izvestiya OshTU, 2, 53-59.

[3] Kadyshev, S., Sagyndykov, Zh., Apysheva, Ch.Zh., & Bayazova, A.A. (2020). Some issues in teaching nanotechnology methods in nanoelectronics. News of OshTU, 2, 60-66.

[4] Kadyshev, S., & Jusupkeldiev, Sh. (2023). Organization of silicon-based solar cell production in Kyrgyzstan. Bulletin of J. Balasagyn Kyrgyz National University, Special issue (S), 62-67.

[5] Razuvaev, G.A., Gribov, B.G., Domrachev, G.A., & Salamatin, B.A. (1972). Organometallic compounds in electronics. Moscow: Nauka.

[6] Moss, R.H. (1984). Journal of Crystal Growth, 68, 78.

[7] Manasevit, H.M. (1981). Recollections and reflections of MO-CVD. Journal of Crystal Growth, 55(1), 1-9.

[8] Coates, G.E., Green, M.L.H., & Wade, K. (1967). Organometallic compounds: The main group elements (3rd ed., Vol. 1). London: Methuen.

[9] Stringfellow, G.B. (1984). A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE. Journal of Crystal Growth, 68, 111-112.

[10] Holonyak, N. Jr., & Bevacqua, S.F. (1962). Coherent (visible) light emission from Ga(As1−xPx) junctions. Applied Physics Letters, 1, 82.

[11] Logan, R.A., White, H.G., & Wiegman, W. (1968). Efficient green electroluminescence in nitrogen-doped GaP p-n junctions. Applied Physics Letters, 13, 139.

[12] Amano, H., Akasaki, I., Hiramatsu, K., Koide, N., & Sawaki, N. (1988). Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate. Thin Solid Films, 163, 415.

[13] Nakamura, S., Harada, Y., & Seno, M. (1991). Novel metalorganic chemical vapor deposition system for GaN growth. Applied Physics Letters, 58, 2021.

[14] Nakamura, S., Mukai, T., Senoh, M., & Iwasa, N. (1992). Thermal annealing effects on p-type Mg-doped GaN films. Japanese Journal of Applied Physics, 31(2B), L139-L142.